Intelligentes Ultraschall-Zerstäubungssprühgerät mit Volumenkontrolle

Als Kernmaterial in High-End-Fertigungsbereichen wie Halbleitern und Anzeigetafeln bestimmt die Beschichtungsqualität von Fotolack direkt wichtige Leistungsindikatoren wie Chipauflösung und Panelpixeldichte. Herkömmliche Photoresist-Beschichtungsmethoden nutzen in erster Linie die Schleuderbeschichtung, die zwar einfach durchzuführen ist, aber erhebliche Einschränkungen aufweist: Erstens ist die Materialausnutzung gering (nur 30–40 %), wobei aufgrund der Zentrifugalkraft eine große Menge Photoresist verschwendet wird, was die Produktionskosten erhöht; Zweitens wird die Gleichmäßigkeit der Beschichtung durch die Substratgröße begrenzt, wobei große Wafer oder flexible Substrate anfällig für den „Kanteneffekt“ dickerer Kanten und dünnerer Mitten sind. Drittens ist die Präzision der Steuerung der Schichtdicke unzureichend, was es schwierig macht, die strengen Anforderungen fortschrittlicher Prozesse (z. B. Chips unter 7 nm) für nanoskalige Beschichtungen zu erfüllen. und viertens entstehen leicht Defekte wie Blasen und Nadellöcher, die die Integrität des Fotolithografiemusters beeinträchtigen.

Angesichts der Entwicklung von Halbleiterchips in Richtung höherer Dichte und kleinerer Größe sowie von Anzeigetafeln in Richtung größerer Größe und größerer Flexibilität sind für die Fotolackbeschichtung dringend neue Technologien erforderlich, die hohe Präzision, hohe Auslastung und niedrige Fehlerraten vereinen. Ultraschallzerstäubungssprühgeräte mit ihrem einzigartigen Zerstäubungsprinzip sind zu einer zentralen Lösung zur Lösung dieser Problempunkte geworden.

Wichtige Anwendungsszenarien in der Fotoresistindustrie:

◆ Halbleiterchip-Fotolackbeschichtung: Bei der Herstellung von Logikchips und Speicherchips (wie DRAM und NAND) kann Ultraschallzerstäubungssprühen für die untere Antireflexionsbeschichtung (BARC), die Hauptfotolackbeschichtung und die obere Antireflexionsbeschichtung (TARC) auf der Waferoberfläche verwendet werden. Für Lithographieprozesse im extremen Ultraviolett (EUV) können mit der Ausrüstung ultradünne (weniger als oder gleich 100 nm) Fotolackbeschichtungen mit geringer-Rauigkeit (Ra weniger als oder gleich 0,5 nm) erzeugt werden, wodurch die Auflösung und die Kantenrauigkeit (LER) des Lithographiemusters verbessert werden.

◆ Fotolackbeschichtung für Anzeigetafeln: Bei den Herstellungsprozessen von Pixeldefinitionsschichten (PDLs), Farbfiltern (CFs) und Berührungselektroden in LCD- und OLED-Anzeigetafeln kann die Ausrüstung angepasst werden, um großformatige Substrate (wie G8,5 und G10,5) gleichmäßig zu beschichten, wodurch das Verzugsproblem bei der Beschichtung von flexiblen OLED-Substraten (wie PI-Filmen) gelöst wird, während gleichzeitig die Haftung zwischen dem Fotoresist und dem Substrat verbessert und der Musterversatz in nachfolgenden Entwicklungs- und Ätzprozessen reduziert wird.

◆ Fotolackbeschichtung für MEMS und Advanced Packaging: In mikroelektromechanischen Systemen (MEMS) und fortschrittlichen Chipverpackungen (wie WLCSP und CoWoS) wird Fotolack häufig als temporäre Verbindungsschicht, Passivierungsschicht oder Musterübertragungsmedium verwendet. Durch Ultraschallzerstäubungssprühen kann eine gleichmäßige Beschichtung komplexer dreidimensionaler Strukturen (z. B. Gräben und Bump-Arrays mit hohem Seitenverhältnis) erreicht werden, wodurch die Integrität der Beschichtungsabdeckung auf engstem Raum gewährleistet und die hochpräzisen Ausrichtungsanforderungen des Verpackungsprozesses erfüllt werden.

◆Besondere funktionale Fotoresistbeschichtung: Für spezielle funktionale Fotoresists wie lichtempfindliche Harze und Quantenpunkt-Fotoresists kann die Ausrüstung die Zerstäubungsparameter präzise steuern, um die Aggregation funktioneller Partikel (wie Quantenpunkte und Nanofüllstoffe) zu vermeiden, die optische Leistung und fotolithografische Empfindlichkeit des Fotoresists aufrechtzuerhalten und sich an die Anwendungsanforderungen neuer Display-, Sensor- und anderer Bereiche anzupassen.